4月22日，“广东光大科研制造中心”项目在东莞市寮步横坑举行了开工仪式，该项目涉及到氮化镓领域，覆盖衬底、外延和器件全产业链。

该项目位于东莞东部智能制造和东莞新材料产业基地，项目一期投资100亿元，占地面积约390亩，预计于2025年建成投产，全面达产后销售收入约149.4亿元。其中，“广东光大第三代半导体科研制造中心1区”项目被包括在一期项目建设中，估算总投资高达44亿元，接近一期项目总投资额的50%。

广东光大第三代半导体科研制造中心1区”项目主要建设内容为精密半导体设备制造、氮化镓衬底生产线、氮化镓器件生产线、蓝绿Mini/MicroLED外延芯片生产线和配套特气厂务设施；预计占地面积13.5203万平方米，建筑面积28.3928万平方米，建成后将生产2-4英寸氮化镓衬底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件、4英寸蓝绿MiniLED外延芯片。